3月份Intel新一任CEO帕特·尼克松总统公布了全新升级的IDM 2.0发展战略，在其中具体内容便是项目投资200亿美金在美国基本建设2座新的芯片加工。9月24日，尼克松总统驾驶挖掘机宣布给最新项目奠基石，2024年这种加工厂要先发量产20A埃米工艺。

美国俄亥俄州是Intel圆晶生产制造的名镇，算上此次的项目投资，Intel企业40很多年来早已在该地域项目投资了500亿美金，CEO尼克松总统表明这一次的项目投资代表着Intel专注于在该行业长线投资，协助美国半导体材料重返领先水平。

该融资计划预估将造就3000好几个高新技术、高薪资的长期性岗位，及其3000好几个工程建筑学生就业职位和大概15000个本地长期性岗位。

Intel发布了这儿二座芯片加工的关键点，各自会取名为Fab 52、Fab 62，并初次表露这种加工厂可能在2024年量产20A工艺——这与以前预计的不一样，本来认为会量产的是Intel 4那样的下几代工艺。

Intel 20A工艺是2021年7月份才发布的，是Intel 10/7/4/3工艺以后的全新升级，并且初次进到后纳米技术时期，立即用了埃米（A代表的是 ngstrom，1纳米相当于10埃米），关键技术美发布，但字面上含义上看20A类似便是2nm工艺的等级，合乎3nm以后的颠覆性创新升级规则。

20A工艺除开EUV光刻技术工艺以外，还会继续有2小黑高新科技——R ibbonFET及PowerVia。

依据Intel常说，RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体三极管的完成，它将变成企业自2011年首先发布FinFET至今的第一个全新升级晶体三极管构架。该技术性加速了晶体三极管电源开关速率，与此同时完成与多鳍构造同样的工作电压，但占有的区域更小。

PowerVia是Intel特有的、业内第一个反面电磁能传送互联网，根据清除圆晶正脸供电系统走线要求来提升数据信号传送。

依照整体规划，20A工艺预估会在2024年量产，到时候tsmc的2nm工艺应当也会面世，Intel的工艺再度返回最领先水准。