10月7日信息，在今天的举办的“Samsung Foundry Forum 2021”沙龙活动上，三星发布了全新升级的17nm工艺，并公布将于2022年上半年度量产3nm制程，更专业的2nm制程将于2025年量产。

三星晶圆代工单位首席总裁Choi sSi-young表明：新冠肺炎疫情加快智能化，三星的顾客和小伙伴将得到在恰当时间给予适度技术性，开发设计硅运用的无穷发展潜力。“大家将全方位给予生产制造生产能力，在最领先的工艺层面保持领跑，不断在使用方面精湛技术性。”

发布全新升级17nm工艺

在本次社区论坛上，三星公布发布了全新升级的17LPV工艺，即Low Power Value的17nm工艺。

事实上，17LPV工艺便是28nm工艺的演变版，其整合了28nm BEOL后面工艺流程、14nm FEOL前面工艺流程，也就是在28nm连接点的根基上，添加了14nm FinFET立体式晶体三极管，只需较低的成本费，就能享有后面一种的能耗等级优点。

三星称，17LPV工艺对比传统式28nm，集成ic总面积可变小43%，能够产生39%的功能提高或是49%的功能损耗减少。

三星17LPV工艺的量产時间沒有说，但三星早已公布第一个服务项目的对象是ISP图像信号转换器，归属于三星自己的CMOS感应器产品系列。

除此之外，三星还构建了14nm LPU工艺，即Low Power Ultimate，但仍未表露详细信息，很有可能也是28nm BEOL再加上14nm FEOL。

2022年量产3nm

为了更好地在半导体材料制程工艺上追逐上台积电，三星在3nm工艺的开发之中就首先引进了全新升级的GAA（Gate-all-around，围绕栅压）技术性，并准备于2021年后半年领跑台积电量产3nm。尽管在2021年上半年度，三星公布其3nm GAA工艺已完成流片（Tape Out），可是在“Samsung Foundry Forum 2021”沙龙活动上，三星表明迁移到最新的GAA技术水平很高，3nm制程将推延到2022年上半年度量产。

从现在的信息内容看来，三星3nm的用户将包含手机处理器大型厂高通芯片、网络服务器集成ic生产商IBM、GPU集成ic生产商NVIDIA，及其三星自己的旗舰级集成ic。

尽管三星3nm的量产時间对比以前的整体规划有一定的推迟，可是因为其首先将GAA工艺引进到3nm之中，这也促使其3nm的功能有希望技术领先台积电仍然根据FinFET（鳍式场效晶体三极管）工艺的3nm工艺。

传统式的平面图晶体三极管（Planar FET）根据减少工作电压来节约功能损耗，殊不知，平面图晶体三极管的短沟道效应限定了工作电压的持续减少，而FinFET的产生促使工作电压得到再度减少，但伴随着工艺的持续推动，FinFET早已不能满足需求。因此，GAA技术性应时而生。

如下图，典型性的GAA方式——GAAFET是（Gate-all-around FETs）选用的是纳米管断面设计方案，断面全部外轮廊都被栅压彻底包囊，意味着栅压对断面的分区规划更强。比较之下，传统式的FinFET 断面仅3 面被栅压包围着。GAAFET 构架的晶体三极管给予比FinFET 更强的静电感应特点，可达到一些栅压总宽的要求。这表现在同样规格构造下，GAA 的断面控制力加强，规格能够进一步缩微。

但是，三星觉得选用纳米管断面设计方案不但繁杂，且投入的费用将会也超过盈利。因而，三星选用了全新升级的GAA方式——MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-安全通道场效管），选用双层层叠的纳米技术片来取代GAAFET中的纳米管。

三星表明，MBCFET能够在保存全部GAAFET优势的情形下，降到最低复杂性。与此同时，MBCFET的制定能够兼容以前的FinFET技术性，能够同时将为FinFET的设计方案转移到MBCFET上，在没有提高总面积的情形下，提高特性。

在本次社区论坛上，三星表明，与其说5nm制程相较，三星第一个3nm GAA 制程技术性将促使集成ic总面积可再降低35%，特性可提升30%或功能损耗减少50%。除开功能损耗、特性和总面积(PPA) 上改善，伴随着制程技术性完善，3nm合格率可能贴近4nm制程。三星预估2022 年发布第一代3nm 3GAE 制程技术性，2023年发布升级一代的3nm 3GAP 制程技术性。

2025年量产2nm

因为GAA技术性能够重复使用在2nm技术性之中，因而，这也促使三星事后的2nm技术研发可以事倍功半。三星在本次社区论坛上也初次公布，其更专业的2nm技术性可能按期在2025年量产，并于2026年逐渐有很多根据三星2nm的设备发售。

三星表明，其2nm制程技术性将使集成ic特性、能耗等级进一步提高，再次推动电子设备的微型化。

三星3nm将追上台积电，intel将在2nm上领跑？

对比于三星在制程技术性的激进派，台积电则脚踏实地，其3nm工艺可能再次选用完善FinFET技术性，并准备于2022年半年度上下量产。尽管之前有小道消息称台积电的3nm工艺很有可能也可能延迟时间。但是，台积电表明，“一切依时程开展”。

此外，由此前外国媒体的报料表明，台积电针对更加优秀的2nm工艺在2023年年末的风险性试生产产品合格率做到90%十分开朗。由此推断，台积电的2nm工艺有希望将在2024年量产。

特别注意的是，2021年3月intel已公布重新启动晶圆代工业务流程，而且7月的“intel加快自主创新：制程工艺和封裝技术性线上发布会”上，发布了intel工艺制程的最新取名方法（与台积电的制程工艺取名对比），并公布在2023年后半年量产根据FinFET技术性的Intel 3（等同于台积电3nm制程工艺），对比上代的Intel 4，Intel 3 每瓦特性上完成约18%的提高。与此同时，intel还可能在2024年量产根据PowerVia和RibbonFET（GAA）技术性的Intel 20A（等同于台积电2nm制程工艺）。除此之外，intel还表露可能在2025年发布Intel 18A制程。

现阶段在晶圆代工销售市场，特别是在优秀制程的比赛之中，所须要的产品研发资金分配及其生产线基本建设费用是愈来愈高。因此，在该行业现阶段也只剩余了台积电、三星和intel这三家生产商在市场竞争。

依据之前的材料表明，三星方案在2030年以前项目投资133万亿人民币（折合1160亿美金），以求变成 世界上最大的半导体芯片代工厂。台积电也方案在未来三年内资金投入1000亿美金。intel在重新启动晶圆代工业务流程以后，也宣告了超出1000亿美金的融资计划，例如在美国投资200亿美金修建二座芯片加工，将来十年在欧洲地区项目投资800亿欧基本建设最少二座芯片加工等。

从资产的支出经营规模看来，做为当前的全世界晶圆代工销售市场的行业龙头，台积电的在晶圆代工行业的资金分配毫无疑问是最高的。而重新启动晶圆代工业务流程的intel也是汹汹。在这里环境下，三星的晶圆代工业务流程肯定也将是遭遇着很大的工作压力。

但是，从前边3nm工艺量产时间范围看来，三星有希望在3nm上完成针对台积电的追上，而且再次技术领先intel。而在以后的2nm制程工艺连接点，intel有希望完成对台积电和三星的追上，再次助推全世界半导体材料制程工艺技术性。可是，由于intel先前曾一度改档的历史时间，外部对其在2024年量产2nm超过台积电持质疑心态。

编写：芯智讯-浪客剑