乌合麒麟最新画作,乌合麒麟作品原图

材料来源于:环球日报、知乎问答等

物联网技术中国智库 梳理公布

导 读

知名爱国画手@乌合麒麟出自于引以为豪的一段配词,竟使其变成过街老鼠,持续的道歉到之后的单挑,是中国半导体业太敏感或是大家欠缺“较真儿”的心态。

芯片现在有多火呢?火到乃至连八竿子打不着边儿的画师都掺合进来了。

上星期日,以时事政治讽刺画一战成名的爱国画手@乌合麒麟继一天持续2次发布“道歉申明”后再一次走上热搜榜,此次“新著作”一改日前“风格”,从“道歉”立即改成“单挑”,要从“科学研究和逻辑性的视角”跟网民们论一论“国内14nm芯片这一件事情”。

画师跨业“烧开”被怼

此次事情的原因要从6月24日@乌合麒麟分享一位数码时尚博主@菊厂影业公司Fans分享的一则新闻的配词谈起。分享全文是来自于中国新闻网访谈中电科信息技术产业发展趋势研究所电子信息技术研究室优点温晓君的文章内容,原文章标题为《温晓君谈14nm芯片批量生产:黎明就在眼下》(现文章标题为《权威专家谈14nm芯片批量生产:黎明就在眼下》)。

图片出处:环球日报

被分享的这篇新闻报道中温晓君详解了国内14nm芯片的发展趋势及其现况,在对国内芯片将来寄予希望的与此同时,也说明了我们与全球第一梯队代工厂中间存有的代差依然非常大。但原文中一些不认真细致的描述歪曲了温晓君的本来含意(现阶段原文章开头称“国内14nm芯片有希望在2022年完成批量生产”他们早已删除。)

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此外,在@菊厂影业公司Fans的新浪微博里,有曝料称海思芯片半导体公司生产制造的芯片累加完成了“1 1>2”,即能将2个低制造芯片开展累加提升,14nm芯片历经提升和新技术应用支撑点还可以并列7nm芯片的性能,合称“功能损耗和关注度非常好”

出自于对原文中谈及的国内半导体技术提升而觉得的愉悦,@乌合麒麟在分享时配词“封禁着封禁着大家就啥都有了”。

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殊不知,接着@乌合麒麟为国内芯片技术性获得提升的喜悦个人行为就被众多网民所提出质疑和进攻,连着@菊厂影业公司Fans两个人被网民一起讽刺为“二杯50度的水,倒在了一起变成一百度”。

伴随着時间的变化,群嘲逐渐得寸进尺,网民们称其“什么都不懂瞎烧开”。更有一些数码时尚博主觉得她们做为有知名度的时尚博主,在没有掌握中国半导体产业现况的状况下盲目跟风吹嘘,小看了领域难度系数,“对国内芯片的盲目跟风吹嘘会阻拦领域发展”,乃至有网民称@乌合麒麟“以一己之力毁了国内芯片发展趋势”。

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然后@乌合麒麟在26日早上忽然就这事发布文章道歉,接着由于“尖酸刻薄”的道歉內容冲到热搜榜。更有趣的是,在第一条道歉新浪微博被调侃情况背景色刺眼后,@乌合麒麟又对于此事公布了一条道歉申明,但背景色依然没改,表明了“我道歉,但我不会改”的心态。

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在@乌合麒麟道歉后,原先明确提出“二杯50度水求和”对比的时尚博主@Blood锦旗称,前面一种做为分享方义务并不大,应该是@菊厂影业公司Fans的叫法存在的问题。但在27日,@乌合麒麟却一改日前得话锋,出文称“自己因昨日道歉尖酸刻薄而遭受一部分网民有效提出质疑,现改成昨日道歉,并从科学研究和逻辑性的视角阐述一下这件事情。”

道歉改单挑,这招的确又不高

在提名最初“抢人头”的@Blood锦旗后,@乌合麒麟称自身尽管不了解数码圈,但不愿见到网民那有关“智力障碍对比乱抢人头”。他称自身查看材料后评定这类芯片累加技术性的确存有,叫“三维封裝”,合称“intel恰好是靠这类三维堆叠技术性促使14nm芯片的作用和tsmc7nm乃至5nm的作用打得有来有回的”,还晒出了查看結果和材料。

@乌合麒麟称,查看材料只求评定这类技术性的确存有,“我的知识储备就能了解到这,往前面就碰触到我知识盲区了”。与此同时他觉得@菊厂影业公司Fans仅仅“用语不太认真细致地描述了已经产品研发该类技术性罢了”。他自己现阶段唯一不能证实的是华为海思是不是已经产品研发此项技术性或是2022年年末是否会有试验型号,这归属于企业商业秘密没法确认,并不意味着它是“诋毁”,互联网上提出质疑芯片累加技术性的人一样没能取出证伪直接证据。

三维封裝技术性的确存有,芯片堆叠开发技术也真正,因此 他不赞成一切“乌合麒麟分享不实观点”的叫法,并期待一部分网民以高新科技为本,不必“抢人头”。

图片出处:环球日报

针对@乌合麒麟的斥责,@Blood锦旗在回应的长原文中否定了自身在抢人头,并曝出了自身给@乌合麒麟的私聊,表述自身并不是有心对于,仅仅不愿让“高新科技圈被瞎吹坑的很重”的历史重演,还称大部分人期待半导体材料好好地发展趋势。

与此同时长原文中也提出质疑@乌合麒麟发布的技术文档存在的问题,先就“intel靠三维堆叠技术性促使14nm芯片的作用和tsmc7nm乃至5nm的作用打得有来有回的”叫法明确提出猜疑,后称虽然累加芯片很有可能让性能翻番,“但由于发烫太高造成 芯片降帧,性能更低”的概率也存有,称存储结构相对性简易、頻率很低的芯片才可以规模性开展三维堆叠。但仍未论述“三维堆叠技术性不会有”。

接着@乌合麒麟又作出还击,称@Blood锦旗在以偏概全,例举“此堆叠并不是彼堆叠”和“这一技术性不太好用”,但自身只想要关心2个难题:二杯水对比是不是精确?堆叠技术性“存有或是不会有”——好几个低制造芯片能否根据三维封裝的技术性在一些特殊自然环境下(例如手机软件分跑或别的试验室自然环境中)完成性能增长幅度?

1 1能不能超过2

三维堆叠技术性究竟存不会有,回答是存有。

知乎问答客户@西从南来表明,intel并沒有把三维堆叠技术性用在14nm上,只是用在10nm上,而且也没办法证明@乌合麒麟后一段“和tsmc7nm乃至5nm的作用打得有来有回”的结果。

intel的单芯片三维堆叠技术性是把关键时序逻辑电路一部分用10nm加工工艺完成,别的一部分用22nm/14nm加工工艺完成,那样能够降低成本难度系数和提高合格率。但@西从南来也强调这与@乌合麒麟所分享的堆叠技术性并不相同。

也是有知乎问答客户@钢材腊肉强调,14nm 14nm≠7nm,这并并不是生成西瓜。他表明,基础理论来讲把二块同样总面积、一样型号规格的芯片开展堆叠封裝,的确能够间接性完成在总面积不会改变的前提条件下,晶体三极管总数翻番。现阶段流行大型厂也是有这些方面的科学研究,可是就性能来讲,14nm 14nm=7nm非常好笑。

最先晶体三极管的制造不变,单独晶体三极管的容积仍未变小,功能损耗或是原先的功能损耗,累加以后功能损耗乘二,排热也会翻番;次之同样总面积下晶体三极管总数翻番,但堆叠封裝后容积会增大,晶体三极管处理速度反倒会降低;其次芯片中的操纵模块和计算模块必然要再次设计方案,单纯性物理学堆叠封裝反倒减少了稳定性;最终因为功能损耗极大,为了更好地确保元器件不被损坏必然必须减少性能,最终制成品很有可能比单独14nm芯片强,但也彻底不容易和单独7nm芯片的性能在同一级别。

另据有关信息表明,华为公司曝出的“双芯累加”专利权的确可以大大的提高14nm芯片的性能,但并列7nm还存有极大差别。双芯累加等级应用于设计方案和生产制造前期,换句话说在设计方案过程中将原先的一颗芯片设计方案成两层芯片随后运用自身与众不同的技术性,来将这双层芯片封裝在一颗芯片中,根据同歩数据信号方法与一些别的方式 就可以激话两层芯片一同使力,进而完成芯片性能提升。

针对华为公司的“双芯累加”现阶段也有过多疑惑,例如原文中许多含糊不清的词句“与众不同的技术性”“别的方式 ”这些,如果不较确实对待,其身后的科学研究实际意义好像更非常值得探讨。

针对高新科技从业人员而言,较真儿是最摆正的心态;针对乌合麒麟一样的人所共知来讲,为中国科技创新而烧开也并虽知错。实际上这件事情双方都沒有错,只有讲错就错在“不谋其政,不解其味”而已。

参考文献:

1.《乌合麒麟撤销道歉,立即单挑》,环球日报

2.《吓死在@乌合麒麟 的道歉申明里…》,环球日报

3.《画师乌合麒麟撤销道歉,14nm 14nm=7nm,究竟可不可以?》, EDN电子信息技术设计方案

4.《什么是“双芯叠加”技术?》, OFweek电子技术

5.http://www.zhihu.com/question/467797731

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