大家都知道，在芯片生产过程中，光刻机是绕但是的机器设备，假如从一个生产制造看来，光刻机的费用占总机器设备费用的30%。

最核心的是，当进到到7nm工艺后，务必要使用EUV(极紫外光)光刻机，这类光刻机仅有西班牙ASML可以生产制造，且生产能力比较有限，厂商们要购到，并不易，要清除，且ASML要优先选择供货tsmc，三星，intel这几个公司股东。

因此一直以来，大伙儿都会找寻其他方法，例如无需EUV光刻机，能否生产制造7nm及下列的芯片？实际上，也是有厂商是那么想并准备那么干的，由于根据DUV光刻机开展多重曝光，理论上可以做到7nm。

但这类方法比较复杂，对技术规定十分高，与此同时合格率低，圆晶的耗损较为大，因此要是可以购到EUV光刻机，就不太可能用这样的方法，这类方法生产制造下来的芯片，彻底沒有竞争能力。

而近日，日本厂商搞出了最后一种方法，那便是不选用DUV多重曝光，只是开发设计了一种新的NIL制造技术，这类技术不用EUV光刻机，就可以将芯片制造送到5nm。

这个厂商便是日本的储存大型厂铠侠Kioxia（飞利浦），它与日本的电子光学/半导体材料厂商佳能eos，也有光罩/半导体材料厂商大日本包装印刷株式（DNP），通过了四年的产品研发，总算产品研发出了纳米技术印压影视(NIL) 的批量生产技术。

现阶段铠侠已经将其运用到15nm的NAND闪存芯片生产制造上，并表明到2025年应当能够运用到5nm的芯片生产制造上。

铠侠表明，NIL 技术与EUV光刻技术技术对比，能够大幅的降低能耗，转换高效率，用电量可放低至EUV 技术的10%，与此同时NIL技术下的机器设备也划算，与ASML的EUV光刻机对比，项目投资可减少至仅有EUV 机器设备的40%。

但是也是有专业人员强调，NIL技术或许可以推动芯片制造至5nm，但很有可能更融入于NAND这类3D层叠的闪存芯片芯片，不一定适用大多数的芯片。

但是协作厂商之一的佳能eos，则表明要勤奋的将NIL 批量生产技术普遍的运用于制做DRAM 及PC 用的CPU 等逻辑性芯片的机器设备上。

针对这一技术，不清楚大伙儿如何看？假如确实可以推动至5nm，且用以除NAND以外的通用性芯片，那麼ASML就终将走下圣坛。

乃至从一定水平来讲，也是国内芯的喜讯，你觉得？针对那样的弯道超越的技术，真期待它可以多一点，而且是我国厂商产品研发的就好了。