半导体材料制程进到 3nm 连接点后进到撞树期。情况比较严重到三星逐渐“内部结构彻查”，关键看准内部结构 5nm、4nm、3nm 制程的良率是不是有仿冒造假的情况，及其彻查项目投资在这种优秀制程的资产是不是得到妥当应用。

依据韩国媒体报导，三星内部结构最近彻查“前男友管理人员是不是涉及到良率数据分析报告作假”一事，根本原因是发觉优秀制程具体的产能情况，无法达到销售订单总数，因而觉得晶圆代工单位所收益的良率很有可能有出现异常。

据统计，彻查的方位以晶圆代工单位 5nm 制程连接点的良率为关键，进一步掌握 4nm 和 3nm 的现况。

业内誉为，三星的新入制程产出率短板和良率问题低到都“消极悲观”，才会运行这一内部结构彻查的姿势。

最近三星晶圆代工单位经常出现订单信息外流状况，促进内部结构自我反思，包含高通芯片新一代 3nm 的旗舰型CPU处理芯片 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 将交给台积电代工生产。根本原因是三星以 4nm 制程生产制造的 Exynos 2200 CPU良率仅 35%，次之缘故是三星的 IP 矽智财总数上匮乏，仅台积电的三分之一。

2021 年下半，三星副理事长李在镕在贿赂案上假释出狱后，同本年度 12 月三星电子器件运行2017 年至今最强烈的人事部门改组，三大集团公司单位半导体材料、手机上、消费电子产品的管理者悉数换别人，并将手机上及消费电子产品工作合拼变成消费电子产品与行動通信工作群。

在这一次的人事变动中，半导体材料工作暨设备解决方法(DS)单位升职的人最多，外部觉得那样的改组結果意味着三星将来会将重点进一步放到半导体材料单位上，加强抵抗台积电的整体实力。

应对具有考验的 3nm 制程，三星电子器件领跑台积电导进 GAA 制程，而台积电仍以 FinFET 构架为主导。

不论是三星或者台积电，用 GAA 或是 FinFET 构架，3nm 制程的技术性门坎都十分高，技术性阻碍也不容易摆脱，此次三星彻查优秀制程此前的产品研发和项目投资成效，可能也是因为让 3nm 技术性的研制成效能更对焦所做的姿势之一。