手机上在过去的的二十年间完成了从功能机向智能手机的演变。现如今，做为移动互联的关键终端设备，手机上早已变成大家日常日常生活不可缺少的“赛博人体器官”。在手机向智能手机演变的历程中，手机上越来越性能更强劲，照相更清楚，感受更智能化。

但当大家 在手机低电量模式却找不着电源插头和线的情况下，依然会想念起那一个作用飞行员续航力的时期。在以前的按键手机时期，手机上的续航时间通常是一周上下，而现今的智能机几乎都必须一日一充或一日多充。

事实上，从智能机面世至今，针对提高电池续航的探寻从来没有停下过。但先前的勤奋关键聚集在锂电池材料和显示设备上：早在2015年，剑桥大学BodleTechnologies试验室就以前声称可以应用热电材料造出几乎不用应用电力的显示屏，以提升电池续航。

2016年，韩新日铁工科大学的探讨中开发设计了一款特小固态氧化物质氢燃料电池。该充电电池可以在相同容积下存储比锂电更高的动能。但这种技术从试验室推向市场还要非常长的一段时间。

与此同时，芯片领域的快速发展也碰到了瓶颈。摩尔定律曾推测，在芯片中，封装形式的晶体管数量每三年会翻一番。但近些年该基本定律变缓。

这一方面是因为制造加工工艺的限定，另一方面则是因为半导体材料表层的总面积比较有限，电子管的总数不太可能无限制的提高下来。从目前的方面看来，芯片晶体管数量的增加发展趋势早已失去再次遵循摩尔定律的概念很有可能。

但现如今，新的芯片生产制造加工工艺或许有希望解决目前手机上在性能和续航力上的短板，重返全盛时代。

三星与IBM全新研发的竖直传送场效应晶体管技术（VTFET）创新能力的将电子管垂直平分半导体材料布局，这促使电流量的流动性从传统的的水平或并列流动性可以变成竖直或左右的电流量流动性。

那样的更改，不但促使芯片从二维时期迈向三维时期，使摩尔定律推测的增长曲线在新的层面得到持续，而且与目前技术对比可以降低芯片应用全过程中85%的耗能。

依据IBM的汇报，以往设计师提高芯片中封装形式的晶体管数量的方法通常是变小栅压间隔和走线间隔。但在二维平面图上，依然存有一个促使全部电子器件被有效布局的最少室内空间，该空间被称作CGP。无论多优秀的封装形式技术，都没法提升CGP的限定。

应用VTFET加工工艺生产的芯片，因为电流量竖直流动性，栅压、室内空间和接触点都不会再受传统式芯片封装形式加工工艺中二维平面图的限定。在三维的区域中，GCP的限定可以被提升，这将促使在芯片设计方案时不会再迫不得已衡量栅压、防护物和合理的规格。这将明显提高芯片的性能并减少其功能损耗。

IBM高级副总裁Mukesh Khare在提到此项技术的情况下评价道：“此项技术致力于给予挑戰传统式并促进社会进步的自主创新，以改进人们日常生活，降低对自然环境的危害。IBM将再次和三星一道恪守协同自主创新，持续追求完美扎实技术的服务承诺。”