芯片工艺的技术性从7nm逐渐就是一个分界点，别以为7nm工艺早已用了好多年，可是真真正正把握7nm工艺而且能将其批量生产化的，全球也但是仅有台积电和三星俩家企业罢了。Intel算得上早已攻破了7nm的困难，并且看上去性能要大大的强过台积电和三星，Intel自身也将其命名为Intel 4工艺，含意是可以和台积电及其三星的4nm并列。而除开这三家以外，再也不会别的芯片代工生产生产商能提升到7nm的工艺，中国的中芯现阶段也只有批量生产14nm的芯片，但也算掌握了12nm的工艺，但是和国外三家对比，差别也是非常大。

自然从市场需求看来，尽管如今很多的高端终端设备都采用了领先的工艺，例如手机上、Cpu、独立显卡这些，但实际上完善工艺的要求仍然非常大，并且伴随着芯片工艺的发展，优秀工艺再往前发展趋势的难度系数确实也在提升，三星4nm的合格率都很是个问题，台积电3nm则一再推迟，Intel的7nm工艺更快也需要来年才可以看获得，这早已很表明问题了。

但是即便如此，芯片技术的发展是没法停滞不前的，台积电很早发布了自身2nm乃至1nm的路线地图，但是没有详细的表明。而在近日的台积电技术交流上，台积电不仅介绍了自己家3nm工艺的技术架构，同时也宣布官宣了2nm芯片工艺，看上去在短期里，都还没哪些生产商能超越台积电的在芯片代工生产领域的位置，而台积电此举还可以确保很多顾客生产商对自己的依赖感，促使自己家的优秀工艺在未来仍然给自己产生很多的收益和提成。

先看来台积电的3nm工艺，台积电的3nm工艺会选用FINFLEX技术性，这一技术性拓展了芯片工艺的性能、输出功率和相对密度范畴，容许芯片设计人员应用同样的设计方案工具箱为同一芯片上的每一个重要功能块挑选最好选择项。简单来说便是能做到极高能耗等级、最功耗低、最少泄露和最大相对密度，与此同时在高能耗等级主要表现，在性能、输出功率和相对密度中间获得较好的均衡，还能以更快的工作频率和最大的性能达到最严格的测算要求。

台积电表明，现阶段芯片一种发展趋势是选用混和构架的Cpu，即高性能的核心与高能耗的核心搭配使用，与此同时还辅以各种各样程序模块。依靠FINFLEX技术性，设计人员能够为同一个芯片上的这种程序模块挑选最好的工艺配备，提升每一个控制模块与此同时不容易危害别的控制模块。这类设计方案实际上从大家看来特别适合手机上芯片及其Cpu。

台积电觉得其N3制造连接点在工艺技术性上把处在领先水平，能为一切商品给予最广泛且灵便的设计范围。除此之外，台积电根据与EDA合作方紧密配合，让用户可以根据应用同样的工具箱，在商品中灵活运用FINFLEX技术性。从当前看来，三星的3nm应当还早，台积电的3nm有可能会和Intel 4芯片工艺开展立即的市场竞争，终究Intel自身也需要代工生产芯片了。

以前曾一度传来iPhone2022年的产品会应用台积电的3nm，不过由于技术性缘故，台积电推迟了3nm的批量生产技术性。并且台积电也降低了原来3nm的规格型号，这样可以尽早将3nm走向市场。第二版3nm工艺的N3B会在2022年8月份首先投片，第三版3nm工艺的N3E的批量生产时长很有可能由原先的2023年后半年提早到2023年第二季度。据统计，N3E在N3基础上减少了EUV光罩叠加层数，从25层降低到21层，逻辑性密度低了8%，但仍然比N5制造连接点要高于60%。那样来年的苹果iPhone 15用到台积电的3nm应该没有疑惑了。

对于2nm工艺，也就是台积电的N2，这也是其第一个应用Gate-all-around FETs（GAAFET）二极管的制造连接点，三星会在3nm工艺上选用，但是台积电称作“Nanosheet”，用于替代FinFET。N2工艺将带来更全方位的性能和输出功率主要表现，但是相对密度层面的提高并不大。N2的相对密度提高大概是N3E的1.1倍，同输出功率下会出现10%到15%的性能提高，同屏下功能损耗可减少25%到30%。N2可能用以CPU、GPU和移动应用平台的SoC等，但是可能会选用MCM来打造出芯片，以建立更高的性能和经营规模，预估2025年末进到批量生产环节。

因此很长一段时间里，台积电都是会将优秀工艺的主力军放到5nm和3nm上，特别是3nm工艺，如今来看发展会比较大，反倒2nm的工艺就没想像的那样强。但是即便如此，到2nm工艺后，台积电也会选用新的光刻机，ASML最大端高数值孔径极紫外线（High-NA EUV）光刻机，现阶段台积电都还没取得，自然这主要是生产制造难度系数很大，ASML自身也很头痛，台积电可能要在2024年才可以取得这一光刻机，早期会主要运用于科学研究。

但是在ASML光刻机一部分，Intel则会领先于台积电，Intel是第一个取得ASML High-NA EUV光刻机的生产商，也会是领域第一个布署这一光刻机的生产商，自然关键是为了Intel 4以后的工艺做提前准备。自然这一光刻机现阶段也仅有Intel、台积电和三星购买，别的芯片代工企业没有这个准备，一个是成本费实在太高，此外也是自己技术性无法跟上。

对于中国，现阶段连ASML的EUV光刻机都拿不上，难以在芯片工艺上和国外好多个生产商对比，DUV光刻机反是能取得，但是应用这一光刻机，能否彻底消除7nm芯片都很难，终究像中芯现阶段都还没动能产12nm芯片。对于国内光刻机，现阶段听说能够处理28nm芯片，但合格率和技术性成本费这些都并没有发布，做为芯片生产商而言，从商务视角考虑，也不太可能将其作为关键光刻机来布署。