大家都知道，在我国在芯片半导体材料行业一直都随处止步不前，而导致这一结论发生的主要原因便是，以老美为主的欧美国家对大家执行了技术性“封禁”。加上，咱们在该行业发展比较晚，发展趋势初期又踏入了“买办阶级”线路，长久以往造成大家完全失去主导权。

但是，好的一方面是，在华为事件以后，国内市场逐渐了解到自主研发的重要性，同时也看清了海外企业的“本来面目”，在关键时刻，海外企业一定是不可靠的，产生在俄销售市场的事便是最好的证实。

实际上，半导体材料芯片按其职能、构造的不一样，能够分成测算芯片、存储芯片、认知芯片、通讯芯片和电力能源芯片五大类，在其中测算芯片和存储芯片占比较高，都是较难提升的。

毫无疑问的是，在我国在预估芯片层面（CPU 、GPU）的技术性较为欠缺，与世界先进公司存有比较大的差别。而在存储芯片行业内，三星、SK海力士、美仅是最牛的三个游戏玩家，可以说基本上垄断性了该行业。

但是，伴随着一则消息的传出，好像代表着国内存储芯片的能力被低估了，同时也代表着国内芯片公司欲弯道超越。

由于就在近日，有消息称，国内芯片大佬长江存储方案绕过192层，立即进入232层闪存生产制造。要知道，强如三星、SK海力士、美光科技等一流经销商，到今年年底才动能产超200层闪存，而长江存储翻过192层，立即生产制造232层，达到了一线水准。

尽管该信息未获得进一步的确认，但可以毫无疑问的是，假如长江存储确实能绕过192层3DNAND,在年末完成批量生产232层闪存芯片，那么就代表着在我国在存储芯片行业的新技术将实现国际性优秀水准。

值得一提的是，自打2016年创立逐渐，长江存储的发展史可谓是充满了自主研发的印记，其在2017年根据自主研发设计制造了第一款3DNAND闪存；2019年其逐渐批量生产晶栈 Xtacking构架的第二代3D TLC闪存；再到2020年，第三代TLC/QLC产品研发取得成功，推动到128层3D层叠。

此外，先前有韩研究机构提供了一份汇报，称中韩在闪存技术性上的差别早已减少至2年，给的理由是三星和SK海力士将在今年年底批量生产超200层闪存，长江存储则需到2024年。而现如今来看，他们低估了在我国在存储芯片行业的整体实力。

总得来说，在全国上下的团结一致努力下，大家彻底有原因坚信，国内芯片一定能提升欧美国家的技术封锁。不妨问一下，在我国的两弹一星、太空站、载人火箭、掘进机等那一样并不是在技术封锁下取得成功自主研发出去的？何况，芯片是人工合成的，而并不是神造的。

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