引言：6月23日信息，南亚科技今天在台湾新北市山东泰山南林科技园举办新12吋厂破土典礼。

6月23日信息，南亚科技今天在台湾新北市山东泰山南林科技园举办新12吋厂破土典礼。

依据南亚科技的整体规划，将项目投资台币3000亿人民币修建一座两层洁净室12吋新厂区，新厂区产业基地包括“主厂房”、“产品研发大厦”及“水源再造核心”，与此同时也将修建EUV极紫外线曝出光刻技术机器设备单独工业厂房，以面对将来优秀制程导进的要求，选用南亚科技自主研发的10nm级（1A、1B、1C、1D）制程技术生产制造DRAM处理芯片，并将应用“AI生产制造”技术，全面提高制程高效率。

南亚科技强调，新厂规区划三阶段开展改建，完成后月产量可实现4.5万片圆晶，预估2025年逐渐攒机投片批量生产，到时候企业DRAM位元产出率将提高120%，每一年预计可造就超出700亿人民币台币的年产值，并给予约3000个高品质工作机会，间接性造就全产业链数千个就业岗位。

参加典礼的台塑集团首席总裁王文渊表明，DRAM 是重要的零组件，即便经历2007 年至2012 年DRAM 销售市场强烈变化和2008 年世界金融海啸等困难，台塑仍大力支持南亚科技挺过挫折，替中国台湾保存电子产业重要零组件的技术。并且DRAM 技术更替迅速，如果没有产品研发独立，技术及提产将没法自身操控，为能彻底解决运营束缚，南亚科技通过持续的革新与产品研发，已取得成功开发设计更新世世代代10nm级储存技术，意味着中国台湾宣布把握DRAM 半导体材料世界一流的优秀技术工作能力。

南亚科技老总吴嘉昭表明，为了更好地把握DRAM 重要技术，南亚科技五年来研发经费提升3倍，产品研发人力资源也扩大至上千人经营规模，全世界总计专利数超出5000 件。10nm级第一代1A技术及商品预估于2022 年后半年批量生产，第二代1B 技术及商品已进入试生产，并已进行第三代1C技术及其应用于1D的EUV技术研发工作。

南亚科技经理李培瑛表明，南亚科技近些年在ESG每个面对的勤奋，得到世界各国评比组织的充分肯定，当选「DJSI 道琼不断全球指数值及新兴经济体指数值」、「国际性碳揭开CDP 气候变化最大定级及水安全领导干部定级」、「我国不断发展趋势奖」、「我国企业环保奖」及「绿色工厂标章」等多种不断荣誉。

在产品研发层面，南亚科技积极主动开发设计低碳产品包含下世世代代DDR5，LPDDR5，能够为顾客节约16% 到35% 的功能损耗。在制造层面贯彻落实绿色生产，二氧化碳排放量5 年以来减少30%，节能措施近5 年总计省电达5830 万度，制程水利用率做到90.8%，合理布局再生资源将来10 年总量2.5 亿度太阳能发电。将来新厂区，将以绿住宅建筑规范及智慧建筑整体规划，推动DRAM 全产业链迈进绿色生产。

编写：芯智讯-杨廷 由来：Technews