台积电已经进一步扩展其在台湾的踪迹，在台南的的生产中心再建四座使用价值 100 亿美金的工厂，用以生产制造 3 纳米芯片。据日经亚洲地区报导 ，在台南市工业区的四个新设备完工后，台积电做为台积电生产中心的一部分，已经逐渐此外四个芯片加工的基本建设。

据外媒报道，台积电已经进一步扩展其在台湾的踪迹，在台南的的生产中心再建四座使用价值 100 亿美金的工厂，用以生产制造 3 纳米芯片。

苹果芯片合作方台积电一直在努力扩张生产量，以处理全世界处理芯片紧缺的难题。尽管全球其他地方的试着进展缓慢，但在其中国台湾的工作成效得迅速。

据日经亚洲地区报导 ，在台南市工业区的四个新设备完工后，台积电做为台积电生产中心的一部分，已经逐渐此外四个芯片加工的基本建设。据报道，每一个项目建设将耗费台积电约 100 亿美金，是 1200 亿美金项目投资风潮的一部分。

听说全部四个最新项目都配有生产制造 3 纳米芯片的生产流水线。以后能够在这种工厂生产制造的商品包含 Apple 的 SoC，包含 Apple Silicon 和 A 系列产品处理芯片。

台积电周五公布，方案到2025 年 转为2 纳米芯片的批量生产。

这四个设备仅仅为海南岛企业修建大量设备的更高方案的一部分。最少有 20 家工厂正在建设中或近期竣工，这种新项目创造了超出 200 万平方的总建筑面积。

中国台湾并非台积电唯一新建工厂的地域，一个使用价值 120 亿美金的加利福尼亚工厂新项目预估将于 2023 年 3 月竣工。据报道，台积电还与马来西亚经济局就新工厂进行了商谈。

未来三年，五种3nm加工工艺

在日前举行的技术研讨会上，台积电公布的重要事宜之一是其归属于其 N3（3 纳米）和 N2（2 纳米）系列产品的领跑节点，这种节点将在未来两年用以生产制造优秀的 CPU、GPU 和 SoC .

N3：未来三年的五个节点

伴随着制造工艺越来越愈来愈繁杂，他们的寻径、科学研究和开发设计时长也变得越来越长，因而大家不会再见到台积电和别的代工厂每两年便会发生一个全新升级的节点。在 N3 中，台积电的新节点引进节奏感将扩展到 2.5 年上下，而在 N2 中，它将增加到 3 年上下。

这代表着台积电将必须给予 N3 的提高版本，以达到其客户的需求，这种顾客仍在寻找每瓦性能的优化及其晶体三极管相对密度每一年上下的提高。台积电以及顾客必须好几个版本的 N3 的另一个原因是，代工厂的 N2 取决于应用纳米片完成的全新升级栅压围绕场效应晶体管 (GAA FET)，预期这将产生更高的成本费、新的设计方法、新 IP 和很多别的转变。尽管顶尖处理芯片的开发者将迅速转为 N2，但台积电的很多普通客户将在未来两年坚持不懈应用各种各样 N3 技术性。

在其 2022 年台积电技术研讨会上，该代工厂提到了将在未来两年发布的四种 N3 衍化制造工艺（一共五个 3 纳米节点）——N3E、N3P、N3S 和 N3X。这种 N3 组合致力于为极高性能运用给予改善的加工工艺对话框、更高的性能、提升的晶体三极管相对密度和提高的工作电压。全部这种技术性都将适用 FinFlex，这也是 TSMC 的“杀手锏”作用，极大地增强了他们的设计方案协调能力，并容许ic设计工作人员精准提升性能、能耗和造价。

*一定要注意，台积电在 2020 年上下才开始各自公布对于仿真模拟、逻辑和 SRAM 的晶体三极管相对密度提高。在其中一些数据依然反映了由 50% 逻辑性、30% SRAM 和 20% 仿真模拟构成的“混和”相对密度

N3 和 N3E：HVM 走上正轨

台积电的第一个 3 纳米节点称之为 N3，该节点有希望在今年下半年逐渐大批生产制造 (HVM)。具体处理芯片将于 2023 今年初交付给顾客。该工艺关键对于初期选用者（如Apple 等），她们能够项目投资于领跑的设计方案，并从最前沿节点给予的性能、输出功率和总面积 (PPA) 中获益。但因为这是为特殊种类的运用量身定做的，因而 N3 的加工工艺对话框相对性较窄（造成明确结论的一系列主要参数），就合格率来讲，它很有可能并不适宜所有应用。

这就是 N3E 充分发挥的是。

新技术应用提高了性能，降低了功能损耗，增加了加工工艺对话框，进而提高了合格率。但衡量是该节点的逻辑性相对密度略微减少。与 N5 对比，N3E 将给予 34% 的功率减少（在同样的效率和多元性下）或 18% 的性能提高（在同样的输出功率和多元性下），并将逻辑性晶体三极管相对密度提升 1.6 倍。

特别注意的是，依据台积电的数据信息，N3E 将给予比 N4X更高的数字时钟速率 （2023 年期满）。但是后面一种也将适用极高工作电压和1.2V之上的工作电压，在这里一点上它将可以给予无与伦比的性能，但功能损耗非常高。

总体来说，N3E 看上去是比 N3 更常用的节点，这就是为什么台积电在这里一点上具有更多的“3nm 流片”，而不是在其相近的设计阶段有着 5nm 级节点也就不奇怪了.

应用 N3E 的电源芯片的风险性生产制造将在未来几个星期（即 2022 年第二季度或第三季度）逐渐，HVM 将在 2023 年中后期逐渐（一样，台积电并没有表露我们都是在讨论第二季度或是第三季度）。因而，预估商业服务 N3E 处理芯片将在 2023 年末或 2024 今年初发售。

N3P、N3S 和 N3X：性能、相对密度、工作电压

N3 的改善并不止于 N3E。台积电将在 2024 年以内的某个时间发布 N3P，这也是其制造工艺的性能提高版本，及其 N3S，该节点的相对密度提高版本。遗憾的是，台积电目前没有表露这种组合将给予什么改善到基准线 N3。实际上，这时台积电在其路线地图的全部版本中乃至也没有展现 N3S，因而试着猜想其特点的确不是一个赚钱好项目。

最终，针对这些不管功能损耗和成本费都需要极高性能的顾客，台积电将给予N3X，它本质上是N4X的形态意识继任者。一样，台积电并没有表露相关该节点的详细资料，仅仅表明它将适用高推动电流和电压。大家可能会推断 N4X 可以使用反面供电系统，但鉴于大家讨论的是根据 FinFET 的节点，而台积电只会在根据纳米片的 N2 中完成反面供电系统轨，大家不确定性状况是不是这般。即便如此，在工作电压提升和性能提高层面，台积电很有可能有很多优点。

FinFlex：N3 的窍门

说到提高作用，大家肯定应当提及台积电 N3 的窍门：FinFlex 技术性。简单点来说，FinFlex 容许ic设计工作人员精准地订制他们的搭建控制模块，以完成更高的性能、更高的相对密度和更低的能耗。

当应用根据 FinFET 的节点时，ic设计工作人员能够在使用不一样晶体三极管的不一样库间开展挑选。当开发者必须以性能为结果来降到最低裸片规格并节约功能损耗时，她们会应用双栅极单鳍 (2-1) FinFET（见图）。可是，当他们必须在芯片尺寸和更高输出功率的衡量下最大限度地提升性能时，她们会采用三栅压双鳍 (3-2) 晶体三极管。当开发者必须均衡时，她们会挑选双栅极双鳍 (2-2) FinFET。

现阶段，ic设计工作人员务必为全部处理芯片或 SoC 设计中的全部控制模块坚持不懈一种库/晶体三极管种类。比如，可以使用 3-2 个 FinFET 来完成 CPU 核心以使之运作迅速，或是应用 2-1 个 FinFET 来减少其功能损耗和占用空间。

这是一个公平公正的衡量，但它并不适合用以全部状况，特别是在是当大家讨论应用比现有技术更贵重的 3 纳米节点时。

针对 N3，台积电的 FinFlex 技术性将容许ic设计工作人员在一个控制模块内混和和配对不一样种类的 FinFET，以精准订制性能、功能损耗和总面积。针对像 CPU 核心这种繁杂构造，这种提升提供了许多提升核心性能的机遇，与此同时依然提升了裸片规格。因而，我们希望见到 SoC 设计人员将怎样在即将来临的 N3 时期运用 FinFlex。

FinFlex 不可以取代节点系统化（性能、相对密度、工作电压），由于生产工艺比单一生产工艺中的库或晶体三极管构造有较大的差别，但 FinFlex 看是提升性能、输出功率和成本费的好方式台积电的 N3 节点。最后，此项技术性将使 FinFET 的协调性更贴近根据纳米片的 GAAFET 的协调能力，后面一种将给予可调节的通道宽度，以得到更高的性能或降低功耗。

与台积电的 N7 和 N5 一样，N3 将成为世界上最大的半导体材料饱和度生产商的另一个长久节点系列产品。尤其是伴随着台积电在 2nm 环节转为根据纳米片的 GAAFET，3nm 系列产品将变成该企业“传统”最前沿 FinFET 节点的最后一个系列，很多顾客将坚持不懈应用两年（或是大量）。

相反，这也是台积电为不一样运用提前准备好几个版本的 N3 及其 FinFlex 技术性的缘故，便于为ic设计工作人员的制定给予一些附加的协调能力。

第一批 N3 处理芯片将在未来好多个月内资金投入生产制造，并且于 2023 今年初发售。与此同时，台积电在 2025 年发布 N2 生产工艺后，仍将继续使用其 N3 节点生产制造半导体材料。

由来：具体内容来源于半导体业观查（ID：icbank）综合性，感谢。