集微网信息,10月8日,深圳市发展和改革委员会公布《深圳市关于促进半导体材料与集成电路产业链高质量发展若干措施(征求意见)》(下称《征求意见稿》)。
《征求意见稿》明确提出关键支持高档通用芯片、专用芯片和关键处理芯片、化学物质集成电路芯片等ic设计;硅基集成电路生产制造;氮化镓、氮化硅等化合物半导体生产制造;高档电子元件生产制造;晶圆级封装、三维封装形式、Chiplet(芯粒)等优秀封装测试技术性;EDA专用工具、重要IP核科研开发及应用;光刻技术、蚀刻、干法刻蚀、堆积、检测仪器等优秀武器装备及关键零部件生产制造及其关键半导体器件研发与产业发展。
除此之外,《征求意见稿》明确指出全方位提升产业链关键阶段、加快提升基础支撑阶段、凝心聚力提高产业链发展动能、搭建高素质人才保障机制等相关信息。
以下属于该征求意见的一些内容:
全方位提升产业链关键阶段
完成关键处理芯片商品提升。重点突破CPU、GPU、DSP、FPGA等高端通用芯片设计,合理布局人工智能芯片、边沿计算芯片等专用芯片的研发。以5G通信业为牵引带,全方位提升射频前端芯片、wifi芯片、光电材料处理芯片等关键处理芯片。对焦智能化“终端设备”等泛物联网的应用,促进超低功耗专用芯片、NB-IoT处理芯片的高效产业发展。对企业选购IP进行高端芯片产品研发,给予IP选购具体缴纳费用最大20%的支助,单独企业每一年总金额不超过1000万余元。加速根据RISC-V等精简指令集构架的芯片研发,对科研投入1000万余元(含1000万)以上RISC-Vic设计企业,依照不超过科研投入的20%给予补助,每一年最大1000万余元。对深圳市企业市场销售自主研发处理芯片,且单款销售额合计超出2000万元,依照不超过当初销售额的15%给予奖赏,最大1000万余元。
强化对设计方案企业流片支持。积极协调深圳市支持的建设集成电路生产流水线和中试线对外开放一定生产能力,服务项目深圳市中小型设计方案企业的流片要求。支持集成电路设计方案企业增加新产品开发幅度,关键支持集成电路设计方案企业流片和掩模版制做。针对应用多新项目圆晶开展研制的深圳市企业,最大给予这款商品第一轮掩膜版制做费用50%和立即流片花费70%、本年度总金额不超过500万元补助;针对初次进行全掩膜工程项目商品流片的深圳市企业,最大给予这款商品第一轮掩膜制做花费50%和流片花费50%,本年度总金额不超过700万元补助。
提高半导体设备水平。积极与集成电路生产制造企业协作,建设规划逻辑性工艺特点加工工艺集成电路生产流水线,支持基本建设高档内置式电力电容器、电感、电阻等电子元件生产流水线。支持意味着新机遇的方向半导体材料与集成电路生产制造重要项目落户,激励不仅有集成电路生产流水线升级改造。对落户口本市由市人民政府确立的集成电路生产制造重点项目、深圳本地半导体材料企业开展的生产流水线重要更新改造新项目,依照不超过采购设备投资总额的10%给予补助,单独新项目补助信用额度不超过15亿人民币;自建成投产生效日,工程项目的生产经营性电费、生产经营性水费价格分别是那时候电费、水费价格的60%和50%;依照不超过研发支出具体花费的50%给予研发补贴;按实际销售额的10%给予流片补助。
超越高档封装测试水准。加速MOSFET控制模块等电力电子器件、密度高的储存器封装技术的研发与产业发展,重点突破晶圆级、系统级、凸块、部分倒装、硅通孔、控制面板级扇出型、三维、真空泵、Chiplet(芯粒)等先进封装关键技术,及其矩形脉冲检测、IC集成化探针卡等优秀晶圆级检测技术,根据工程具体投资总额的10%给予补助,单独新项目不超过1000万余元。
加快化合物半导体完善。激励通讯设备、新能源车、电气系统、城市轨道、移动智能终端等行业企业营销推广使用化合物半导体商品,提升系统和整个设备新产品的竞争能力。对本年度购置深圳设计或制造出来的化合物半导体商品额度达2000万(含)以上企业,按不超过采购金额的20%给予补助,每一年最大500万余元。正确引导企业参加重要环节标准规范制订,夺取产业链主阵地,提高消费者市场主动权和主导权。
加快提升基础支撑阶段
加速EDA关键技术科技攻关。促进仿真模拟、数据、频射集成电路等EDA软件工具完成全过程产业化。支持进行优秀工艺制程、新一代智能化、超低功耗等EDA技术性的开发。加强对国内EDA企业的支持力度,对从业EDA软件工具研制的企业,依照不超过单独项目总投资的40%给予补助,最大2亿人民币。增加国内EDA专用工具应用推广幅度,激励企业和科研院所购买租赁国内EDA软件工具,促进国内EDA专用工具进到高校课程课堂教学。对选购国内EDA软件工具的企业或科研院所,依照不超过具体成本费用的70%给予补助,每一年最大1000万余元。对租赁国内EDA软件工具的企业或科研院所,依照不超过具体成本费用的50%给予补助,每一年最大500万余元。
促进重要原材料自主可控。借助技术骨干企业加速光掩膜、光刻技术、聚丙烯腈、溅射靶材、高纯化学药品、电子气体、蚀刻液、清洁剂、抛光剂、电镀液作用添加物、氟化氢冷冻液、陶瓷粉体等半导体器件的设计研发,依照不超过研发支出(含原材料验证测试花费)的40%给予补助,最大1000万余元。支持第一批次新型材料进到关键集成电路生产制造企业供应链管理,按一时限内商品具体总营业额给予研发企业不超过30%,最大2000万奖赏。
提升关键及设备零部件配套设施。激励本市企业开展集成电路主要设备及零部件产品研发,推动检测仪器、薄膜沉积设备、刻蚀设备、清洗机械、高真空泵等高端数控机床构件和信息系统集成进行不断研发与技术研发,依照不超过单独项目总投资的40%给予补助,最大2亿人民币。支持首台套主要设备及零部件进到关键集成电路生产制造企业供应链管理,按一时限内商品具体总营业额给予研发企业不超过30%,最大2000万奖赏。着力引入世界各国及设备零部件行业领头企业入户深圳,给予不超过3000万余元一次性落户口奖赏。
增加关键核心技术科技攻关支持幅度。进一步增强深圳市集成电路产业链竞争优势,提升产业总体技术创新能力,摆脱重要关键核心技术止步不前的态势,对我市集成电路产业链重点区域、优先选择主题风格、重点专项的核心技术科技攻关给予支助。正确引导企业加大研发投入,对满足条件、进行研究与开发活动深圳市集成电路企业,给予研究开发费用补助。对于已经引入项目投资300万元以上集成电路企业给予房租补贴。
凝心聚力提高产业链发展动能
积极主动担负国家专项战略任务。激励有关部门担负国家发展改革委、工信部、国家科技部等部委局实施的集成电路行业重点项目、重要技术研发规划和重点研发计划。根据国拨资金拨付进展,给予不超过1:1资金配套设施,总金额不超过项目总投资的30%。对重点关键企业所提出的可以解决集成电路全产业链“受制于人”难题,但没有获得国家资金的重点项目,依据企业自筹经费资金投入状况,可阶段性给予不超过30%的配套资金支持。针对取得成功申请我国产业创新中心、我国制造业创新核心、我国技术创新中心的,给予1:1配套设施支持。
支持企业发展壮大。助推企业迅速发展,提升市场份额,持续干大产业产值。对本年度主营业务收入初次提升1亿人民币、3亿人民币、5亿人民币、10亿元的深圳市集成电路EDA、IP及设计方案企业,各自给予企业核心团队500万余元、700万余元、1000万和1200万元一次性奖励。对本年度主营业务收入初次提升10亿人民币、20亿人民币、50亿人民币、100亿元的深圳市集成电路生产制造、封装测试、重要武器装备材料和企业,各自给予企业核心团队500万余元、700万余元、1000万和1200万元一次性奖励。
加强产业链支撑平台基本建设。基本建设集成电路行业制造业创新核心、产业创新中心、IC设计平台、机器设备材料研发核心、产品检测中心等综合服务平台,以技术骨干企业、科研院所为支撑,协同上中下游企业和高校、科研单位等搭建中小型企业孵化平台,凡符合本市产业发展规划规定并且经过地市级评定的服务平台,按不超过数据平台费用40%给予补助,最大3000万余元。服务平台项目建成后,依据运营管理状况,按每一年不超过1500万余元给予补助。
健全产业链投资融资自然环境。探寻开设地市级集成电路产业投资基金,关键支持集成电路产业发展规划。支持对符合条件的企业根据银行融资、融资租赁业务参加项目基本建设和经营,按实际借款或股权融资一部分最大2.5个百分点开展贴息贷款,贴息贷款期限最多不超过5年。支持企业灵活运用电脑主板、创业板、科创板上市等多层面金融市场上市融资发展趋势,按上市挂牌过程阶段性给予不超过1500万元补助。支持保险公司参加集成电路产业发展规划,正确引导险资进行股权投资基金。
推动国际贸易持续增长。构建遮盖过关整个过程的信息共享和管理平台,提升和简单化集成电路新产品的进出口贸易阶段和流程,创建当地集成电路企业、科研院所等试点区“授权管理”,便捷试点区过关。创建集成电路关键商品进口具体指导文件目录,对企业进口的自购集成电路生产经营性原料、易耗品,净化车间专用型建筑装饰材料、配套设施系统及集成电路生产线设备及零配件等文件目录列出产品,且本年度总计进口的额度超出5000万元,依照进口的数额的5%给予补助,每一年最大500万余元。认真落实我国集成电路企业税收政策,对集成电路重点项目进口的新机器,准许分期付款交纳进口环节企业增值税。
支持行业协会充分发挥桥梁作用。创立协同上下游产业链的半导体材料与集成电路产业联盟,持续聚集和结合全世界产业资源和勇气,提高深圳半导体与集成电路总体竞争能力。支持产业联盟、产业协会等社会组织发展,按新项目择优录用给予最大500万支助。对经评定的同盟、协会等社会团体,每一年按实际房租及物业服务管理费的50%给予补助,可持续补助3年,每一年最大不超过100万余元。在招商引资工作方面有着杰出贡献的给予招商引资奖励。(审校/赵碧莹)