处理芯片可以一直向缩微方位前行，5nm加工工艺批量生产后，还能再次向3nm、2nm发展趋势，光刻机有目共睹。尤其是EUV光刻机，也是高档制造处理芯片制造中最重要的主要机器设备。

可以说，光刻机确定了处理芯片技术的技术水准。我们要在集成ic上不被受制于人，就务必突破光刻机。实际上，有关组织也一直在勤奋，近日又传出了国产沉浸式光刻机信息。

光刻机按光线来分，关键有极紫外线EUV、深紫外DUV和紫外线UV三类，基本上便是高档、中档和中低端。低端的i线和g线等光刻机大家已经完成国产，高档EUV也在勤奋。

现阶段，国产光刻机还处在DUV环节。而DUV光刻机也分三类，即KrF、ArF、ArFi。前二种已经突破，国产最大可保证90nm，可达到中国关键组织应用，不会受到海外限定。

那麼，如今人们已经在全力以赴的便是ArFi光刻机，空出的这一i意味着添加了沉浸式技术。

这一技术非常不得了，这也是ASML可以超出原先的光刻机大佬尼康和佳能的重要。那时候光刻机最大保证193nm光波长，也就是ArF光刻机，再向下突破就遇上了短板。

尼康和佳能那时候坚持不懈再次以前的干试技术，而这时tsmc权威专家林本坚明确提出了一种沉浸式技术，即根据水为物质完成更短光波长，即湿试技术，但尼康和佳能压根没理睬。

而那时候还比较弱的ASML却胆大使用了这技术，此后完成超过，得到了很大的销售市场。

因而，ArFi沉浸式光刻机是个关键节点。一旦可以完成突破，那麼就相当于迈入了DUV光刻机中的高档队伍，虽然仅仅新手入门等级，但再向下更新迭代，便会很容易了。

那麼，现阶段国产沉浸式光刻机的开发进展情况怎样呢？以前有最新消息表明，将于今年底前交货。近期又有有关新闻媒体曝料，国产沉浸式光刻机已完成突破，可能迅速来临。

对于此事，有国外媒体表明，并不是年末前吗，难道说提早了？详细情况是否会确实如此呢？

最先，国产关键部件相继突破

ArFi沉浸式光刻机最重要的就是这个沉浸式技术，ArF光波长为193nm，添加沉浸式技术后就可以做到134nm，光波长越少光刻机就越优秀，例如EUV光波长是13.5nm。

近日喜讯传出，华企在浸液自动控制系统上获得了重要突破。浸液系统软件是浸入式光刻机的四大关键部件之一，这就解决了国产ArFi沉浸式光刻机的五大关键技术之一。

也有双产品工件台、曝出光学元件、投射测微目镜等也早已突破，现阶段应该是在包抄磨合期。

次之，ASML行为有有关预兆

针对国产优秀光刻机的进度，也许ASML掌握的更深入，终究人家才算是技术专业的。因而，从ASML的最近行为，我们可以看得出预兆。针对国产光刻机，已改主意了并不是不太可能。

近期有一个大的变动便是，2022年第一季度，大家内地变成ASML的第一大交货地，占比较高达34%。这表明，ASML在有意愿内地增加光刻机销售量，这很有可能在供应。

目地不过是因为打击国产的发展，应该是获知了国产ArFi沉浸式光刻机将要突破。

其次，内部人员也是有有关曝料

有关国产光刻机，大家一直在勤奋，乃至连EUV有关的技术也早已已合理布局。但我们不清楚的是，近年来在突破国产优秀光刻机层面增加了幅度，争取可以尽早突破。

最近有网民在网络上曝出了一个聊天截图，交谈的信息是有关国产优秀光刻机的产品研发，表明已经下发了强制每日任务，而且借调了相应的许多组织研发人员，已经协同行动。

有关实际的进展并没太多透露，但是法律行为，应当可以尽早获得关键进度。

从以上三点可以看得出，国产沉浸式光刻机应当快了。一旦完成了这一关键节点的突破，下面就可以作出更专业的DUV光刻机，这就解决了国产芯片制造绝大部分限定。

DUV高档光刻机假如能完成突破，下面再突破EUV，应当也就更为的很容易了。