【嘉勤评价】长电科技的集成封装专利权，根据将第一模组和第二模组开展层叠，可解决目前集成封装构造必须进一步密度高的、微型化、多维化、多要求排列设计方案的要求。

集微网信息，在存储器行业，长电科技有着近20年的制成品生产制造批量生产工作经验。近日长电科技根据给予密度高的集成ic系统软件集成技术性服务平台，可以达到更小规格、高些集成度的Flash产品需求。

为达到多頻率和多网络带宽的运用，异质性集成封装构造必须进一步密度高的、微型化、多维化。封装构造中具有相对高度较高的大规格封装元器件，一种是大标值电感件、QFN、LGA或BGA这些，与此同时也会存有对地应力比较脆弱的过滤器等空腔元件；除此之外，包括各种集成ic的模组部件一般总面积与容积也比较大，因此集成封装构造必须做好有效排列，以达到各种各样元器件要求并增强总体集成度。

因此，长电科技于2019年9月25日申请办理了一项名叫“集成封装构造”的专利发明（注册号: 201910909470.2），申请者为江苏长电科技发展有限责任公司。

图1 集成封装结构示意图

图1为本产品明确提出的集成封装构造的平面图，包含主基材2、第一模组11、第二模组12、空腔元件14及大规格元器件15，在其中主基材包含相对性安装的主基材第一表层21与主基材第二表层22，第一模组与第二模组层叠，随后与空腔元件、大规格元器件水准排列于主基材第一表层且各自与主基材电荷联接。

实际的，集成封装构造中，主基材第一表层关键设定各种封装元件，联接集成封装构造下面的PCB板等元器件。根据第一模组与第二模组的最少一次层叠，来降低集成封装构造中的两种或好几个模组占有的范围和室内空间，与此同时将相对高度较高的大规格元器件及对地应力比较敏感的空腔元件与层叠后的模组组成水准排列，可有效减少集成封装构造內部封装元件组成后的总体相对高度，促使集成封装构造总体室内空间更加紧密、内部构造更为集成化。

空腔元件的空腔一般朝上设定，在塑封膜层第一表层41相匹配空腔元件的地方处设立有开口槽6，且最少一部分开口槽在空腔元件的上方，使其上面的塑封膜层被掏空，进而降低热涨冷缩功效下塑封膜层对空腔元件中空腔的压力功效，防止空腔元件遭受欠佳地应力毁坏。本案例中开口槽彻底坐落于空腔元件的上边，并与空腔部位相匹配，即开口槽顺着空腔元件的中心线对称性遍布，从而，可匀称减少空腔元件遭受的压力功效，地应力减轻实际效果最好；与此同时开口槽样子为梯形，塑封膜层塑封膜产生后，梯形的开口槽促使出模加工工艺迅速便捷。

简单点来说，长电科技的集成封装专利权，根据将第一模组和第二模组开展层叠，可解决目前集成封装构造必须进一步密度高的、微型化、多维化、多要求排列设计方案的要求。

伴随着集成ic持续向小型化发展趋势，优秀的测封技术性也变成了将来存储系统的主要发展前景。长电科技做为我国测封行业的行业龙头，将在优秀测封行业不断提升自主创新，专注于为顾客带来高品质、全方位的服务项目，助推储存产业发展规划。

（审校/holly）